каталог сотовых телефонов нокиа - сони эриксон - самсунг - сименс - Alcatel - Sagem моторола панасоник филипс LG шарп Pantech Hyundai МТС


Резонансные усилители.

(рис. 4.52, а, в)

Усилитель с регулируемым коэффициентом усиления построен на двухзатворном полевом транзисторе VT1 (рис. 4.52,а). Для сигналов ВЧ (30 МГц) эта ступень эквивалентна усилителю на двух однозатворных транзисторах, где один транзистор включен по схеме с общим истоком, а второй – с общим затвором. Кроме этого здесь достигнута слабая внутренняя ОС. Усилитель по схеме на рис. 4.52, б обладает низким входным сопротивлением. По этой причине для регулировки усиления необходимо в цепь второго затвора включить последовательно резистор R1, который создаёт отрицательную ОС.

Показанные на рис. 4.52,б и г передаточные характеристики сняты для сигнала частотой 465 кГц.


к155ие2 к155ие4 к155ие5 к155ие6,к155ие7 к155ие8 к155ир1 к155ир13 к155ир17 к155тм2 к155тм5, к155тм7 к155тм8 к155им1 к155им2 к155им3 к155лд1, к155лд3 Базовые элементы цифровой техники: ЭСЛ, МОП, ТТЛ кр556рт4 кр556рт5 к1802им1 к170ап1 к170уп1 к170ап2 к170уп2 к174ур1 к174ур2 к174ур3 к174ур4 к174ур5 к174ха2

Hosted by uCoz