каталог сотовых телефонов
нокиа - сони эриксон - самсунг - сименс - Alcatel - Sagem моторола панасоник филипс LG шарп Pantech Hyundai МТС

ППЗУ КР556РТ4

(рис. 1.17,а)

Это программируемое постоянное запоминающее устройство с организацией 256 слов по 4 разряда. Информация в ППЗУ записывается потребителем путём пережигания нихромовых перемычек импульсом тока 1 раз перед эксплуатацией.

Назначение входов и выходов: А0-А7 - адресные входы; РВ1, РВ2 - входы разрешения выборки; Q1-Q4 - выходы с открытым коллектором.

На структурной схеме ППЗУ (рис. 1.17,б): 1 - блок адресных формирователей; 2 - входной дешифратор пятиразрядного кода в десятичный на 32 положения; 3 - матрица запоминающих элементов 32Х32; 4 - блок адресных формирователей; 5 - выходной дешифратор; 6 - выходные усилители; 7 - узлы программирования для формирования импульса тока при пережигании перемычек.

Основные параметры ППЗУ: напряжение питания 5 В; ток потребления 130 мА; входной ток сигнала 1 - 40 мкА; выходной ток уровня 1 - 0,1 мА; выходное напряжение сигнала 0 - 0,5 В; время выборки разрешения 30 нс; время выборки адреса 70 нс.

Информация считывается при подаче сигнала уровня 0 на входы РВ1 и РВ2. При любой другой комбинации сигналов на этих входах на выходе ППЗУ присутствует уровень 1. При считывании на выходы адресных формирователей А0-А7 подают код адреса считывания слова. С выходов адресных формирователей прямые и инверсные значения входного кода поступают на входной и выходной дешифраторы. Входной дешифратор выбирает одну из 32 строк запоминающей матрицы, содержащей память на 32 бита (восемь четырёхразрядных слова). Для считывания одного из восьми слов, выбранных входным дешифратором, служат выходные дешифраторы, управляемые тремя адресными входами. С выходных дешифраторов код считанного слова через усилители считывания поступает на внешнюю нагрузку.

Выход усилителей считывания выполнен на транзисторах с открытым коллектором. Устройство разрешения выборки позволяет стробировать любую микросхему, когда она включена в большой массив объединённых ППЗУ.

Режим программирования. До программирования в микросхеме по всем адресам и разрядам записан уровень 0. В исходном состоянии вывод 8 подключён к общему проводу, на выходы РВ1, РВ2 (выводы 13, 14, 16) подано напряжение от 0 до 0,5 В. Последовательность подачи сигналов следующая: сначала на адресные входы А0-А7 (выводы 5,6,7,4,3,2,1,15) подают напряжение уровня 0, равное 0...0,5 В, либо уровня 1 равное 4...4,5 В в соответствии с кодом адреса слова. Затем напряжение питания (вывод 16) повышают от 0 до 5+-0,25 В. При этом потребляемый ток увеличивается до 150 мА. Далее на все выходы Q1-Q4 (выводы 12,11,10,9) подают напряжение 0..0,5 В, после чего напряжение питания повышают с 5 до 12,5+-0,5 В. При этом ток потребления возрастает до 400 мА. Напряжение 12,5 В через резистор 600 Ом подают на выход Q1 первого разряда, в который записывается информация при токе менее 15 мА (допускается подача на выход напряжения 10+-0,25 В через резистор 300 Ом). Напряжение на выходе РВ2 (вывод 14) повышают с 0 до 15+-0,5 В при этом ток увеличивается до 100 мА; наконец напряжение питания понижают до нуля.

Таким способом записывают программу во все разряды, что соответсвует циклу записиодного слова. По окончании записи одного слова контролируют правильность программы. Для этого напряжение питания устанавливают равным 5+-0,25 В, считывают запись и проверяют её правильность. Схема подключения микросхемы показана на рис. 1.17,в

Указанную последовательность подачи сигналов можно сформировать в виде импульсных сигналов, представленных на рис. 1.17,г, здесь 100 мкс >= t1 >= 25 мкс, 10 мс >= t2 >= 15 мс, 10 мкс >= t3 >= 0.2 мкс, 30 мкс >= t4 >= 1 мкс, 100 нс >= t5 >= 0, 1000 нс >= t6 >= 200 нс. Период следования импульсов определяется как Ти = Qt1, где скважность Q = 10..20.

Информацию записывают путём подачи трёх серий импульсов: нормального (t1, N1), форсированного (t2, N3) и дополнительного (t1, N3). Число программируемых импульсов N на 1 бит определяется режимом работы: 4000 >= N1 >= 1000, N = 100, 100 >= N3 >= 40.

На рис. 1.17,д показана схема электрической нагрузки при измерении динамических параметров.

к155ие2 к155ие4 к155ие5 к155ие6,к155ие7 к155ие8 к155ир1 к155ир13
Hosted by uCoz