каталог сотовых телефонов
нокиа - сони эриксон - самсунг - сименс - Alcatel - Sagem моторола панасоник филипс LG шарп Pantech Hyundai МТС

ППЗУ КР556РТ5

(рис. 1.18,а)

Это программируемое постоянное запоминающее устройство с организацией 512 слов по 8 разрядов. Структурная схема приведена на рис. 1.18,б. Здесь: 1 - блок адресных формирователей; 2 - входной дешифратор двоичного шестиразрядного кода в десятичный на 64 положения; 3 - матрица запоминающих элементов объёмом 64Х64; 4 - блок адресных формирователей; 5 - выходной дешифратор трёхразрядного кода в деятичный на восемь положений; 6 - выходные усилители; 7 - узлы программирования для формирования импульсов тока при пережигании перемычек. Программируют ППЗУ пережиганием нихромовых перемычек импульсами тока один раз перед эксплуатацией.

Назначение входов и выходов: А0-А8 - адресные входы; Q1-Q8 - выходы с открытым коллектором; РВ1-РВ4 - входы разрешения выборки.

Считывание информации происходит при подаче кода 0011 на входы РВ1-РВ4. Подачей сигналов на адресные входы А3-А8 выбирается один из 64 рядов матрицы, содержащих 64 ячейки каждый. Адресные входы А0-А2 управляют выходным дешифратором, который выделяет один из восьми бит для каждого выходного усилителя считывания. Усилители считывания выполнены на транзисторах с открытым коллектором. Наличие четырёх входов разрешения выборки упрощает дешифрацию при создании памяти большой ёмкости. Кроме того, вход РВ1 служит для подачи программирующего тока матрицы.

Основные электрические параметры микросхемы: напряжение питания 5 В; потребляемый ток 150 мА; входной ток сигнала 0 минус 0,25 мА; входной ток сигнала 1 0,04 мА; выходной ток сигнала 1 0,1 мА; выходное напряжение сигнала 0 0,5 В; время выборки разрешения 30 нс; время выборки адреса 70 нс.

Устройство может работать в режиме с пониженным потреблением тока при хранении и считывании информации. Программируют ППЗУ следующим образом. Сначала между выводами 12 и 22, 12 и 24, 12 и 21 подключают по конденсатору ёмкостью от 10 до 1000 пФ. Устанавливают на выводах 22 и 24 напряжение питания 5 В+-5%, на входах разрешения выборки РВ3 и РВ4 - нижний уровень и высокий уровень на входах РВ1 и РВ2. В режиме программирования необходимо на адресные входы А0-А8 подать низкий уровень 0..0,5 В или высокий 3..4,5 В в соответствии с кодом адреса. Затем на выводы 22 и 24 следует подать импульсное напряжение 12,5+-0,5 В (потребляемый ток не более 500 мА) на вход РВ1 (вывод 21) - импульс амплитудой 15+-0,5 В при токе не более 300 мА. На программируемый выход 0 (выводы 9-11, 13-17) через резистор сопротивлением 300 Ом нужно подать импульс амплитудой 12,5+-0,5 В (ток не более 10 мА). На остальных выходах поддерживать низкий уровень. После этого снять программирующее напряжение с выхода, на вход РВ1 (вывод 21) подать низкий уровень, на выводы 22 и 24 - напряжение 5 В+-5%. В одном такте программируется один выход. Контроль программирования можно проводить после каждого такта или после программирования всей матрицы.

На рис. 1.18,в показана диаграмма импульсов программирования. Здесь tи - время пережигания проволочек; t1 - время опережения и сохранения импульса по входу РВ1 относительно выхода; t2 - время опережения и сохранения импульса питания относительно импульса входа РВ1; tф - время нарастания и спада tи=5..100 мс, 30 мс<=t1<=100 мс, tср<100 мкс, 0<=t2<=100 мкс, tи1=tи+2t1, tи2=tи1+2t2. Скважность импульсов равна 3..4, число программирующих импульсов - 400.

На рис. 1.18,г дана диаграмма сигналов считывания, а на рис. 1.18,д схема эквивалентной нагрузки. Если программирование ППЗУ не произошло, то цикл повторяют. После программирования для повышения надёжности записанной информации целесообразно нагреть корпус до температуры 7..125 градусов в течение 160 ч.

к155ие2 к155ие4 к155ие5 к155ие6,к155ие7 к155ие8 к155ир1 к155ир13
Hosted by uCoz