каталог сотовых телефонов нокиа - сони эриксон - самсунг - сименс - Alcatel - Sagem моторола панасоник филипс LG шарп Pantech Hyundai МТС

Предварительный усилитель.

(рис. 4.19)

Его входная ступень построена на транзисторах VT1 и VT2. Оба транзистора охвачены глубокой отрицательной ОС по постоянному и переменному току. Глубину отрицательной ОС по переменному току, а следовательно, коэффициент усиления, определяют в основном элементы R7 и R8. Регулировка частотной характеристики осуществляется с помощью резисторов R10 и R13 в области низших звуковых частот (от +15 до -19 дБ), а в области высших – резистором R13 (от +15 до -22 дБ).

Полоса рабочих частот усилителя от 20 до 20000 Гц.


к155ие2 к155ие4 к155ие5 к155ие6,к155ие7 к155ие8 к155ир1 к155ир13 к155ир17 к155тм2 к155тм5, к155тм7 к155тм8 к155им1 к155им2 к155им3 к155лд1, к155лд3 Базовые элементы цифровой техники: ЭСЛ, МОП, ТТЛ кр556рт4 кр556рт5 к1802им1 к170ап1 к170уп1 к170ап2 к170уп2 к174ур1 к174ур2 к174ур3 к174ур4 к174ур5 к174ха2

Hosted by uCoz