нокиа - сони эриксон - самсунг - сименс - Alcatel - Sagem моторола панасоник филипс LG шарп Pantech Hyundai МТС |
Устройство термокомпенсации варикапов.(рис. 2.2) С увеличением температуры коллекторный ток транзистора увеличивается, что приводит к повышению напряжения на резисторе R3. Возрастание напряжения вызывает уменьшение ёмкости варикапов, которая при повышении температуры также стремится увеличиться. Постоянное напряжение на резисторе рассчитывается по формуле UR= Uп-Uт= Uп-(R1+R2)UБЭ / R2 = 25 В. Для получения других законов изменения напряжения от температуры на резисторе R3 можно параллельно переходу коллектор-база включить дополнительный кремниевый диод в обратном направлении. Если же в эмиттерную цепь транзистора включить последовательно кремниевый диод, то увеличится эквивалентное напряжение эмиттер-база, что также приведёт к температурной зависимости напряжения на резисторе R3. Этими способами можно достичь прецизионного отслеживания изменений ёмкости варикапов от температуры.
|
к155ие2 к155ие4 к155ие5 к155ие6,к155ие7 к155ие8 к155ир1 к155ир13 к155ир17 к155тм2 к155тм5, к155тм7 к155тм8 к155им1 к155им2 к155им3 к155лд1, к155лд3 Базовые элементы цифровой техники: ЭСЛ, МОП, ТТЛ кр556рт4 кр556рт5 к1802им1 к170ап1 к170уп1 к170ап2 к170уп2 к174ур1 к174ур2 к174ур3 к174ур4 к174ур5 к174ха2